IGBT/MOSFET研发工程师
职责描述:
1、功率器件的设计与研发,器件性能、器件结构与工艺设计;
2、提升器件可靠性;
3、协同应用工程师分析和解决器件性能及可靠性问题,完成编写产品规格书;
4、与晶圆代工厂和封装代工厂对接,设计制定工艺流程和测试程序,设计实验(DOE),流片与封装实验方案,完成编写封装规格书与芯片规格书;
5、专利与论文的编写:包括器件结构、制造工艺、封装结构、产品应用…等;
6、配合质量人员完成质量体系的建立与完善。
任职要求:
1、硕士以上学历,微电子/固态物理/半导体材料…等微电子或半导体相关专业;
2、具备良好的数据分析能力;
3、具备优异的沟通能力;
4、具备英文文件撰写能力;
5、熟悉操作热学/力学/电学…等模拟软件尤佳;