IGBT/MOSFET研发工程师

2022-03-10 00:00:00 成都 Not limited to


职责描述:

1、功率器件的设计与研发,器件性能、器件结构与工艺设计;

2、提升器件可靠性;

3、协同应用工程师分析和解决器件性能及可靠性问题,完成编写产品规格书;

4、与晶圆代工厂和封装代工厂对接,设计制定工艺流程和测试程序,设计实验(DOE),流片与封装实验方案,完成编写封装规格书与芯片规格书;

5、专利与论文的编写:包括器件结构、制造工艺、封装结构、产品应用…等;

6、配合质量人员完成质量体系的建立与完善。

任职要求:     


1、硕士以上学历,微电子/固态物理/半导体材料…等微电子或半导体相关专业;

2、具备良好的数据分析能力;

3、具备优异的沟通能力;

4、具备英文文件撰写能力;

5、熟悉操作热学/力学/电学…等模拟软件尤佳;




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